الف باء اليكترونيات

بعد ان عرفنا كيفيه عمل الموحد او الدايود نتعرف الان علي الترنزيستور
بعد ابتكار الدايود فكروا العلماء في شئ جديد فبدلا من الوصله الثنائيه الا وهي الدايود قالو ماذا يحدث لو جعلناها بدل طرفين
نجرب وصله بثلات اطراف مع اختلاف طريقه الصنع وتوصلوا للترنزيستور ويعرف الترنزيستور بانه
وصلة ثلاثية من بللورة الجرمانيوم أو السيليكون تحتوي على بللورة رقيقة جدا من النوع الموجب أو السالب تسمى القاعدة توجد في الوسط وعلى جانبيها بللورتان من نوع مخالف هما الباعث والمجمع .
وتتألف كلمة الترانزيستور من كلمتين

transfer وتعني تحويل( أو نقل) وكلمة resistor وتعني مقاومة وذلك بعد حذف الأحرف الأخيرة fer من الكلمة الأولى والأحرف الأولى res من الكلمة الثانية.
يشغل الترانزيستور المقام الأول في الإلكترونيات المعاصرة ويرجع ذلك بشكل كبير إلى كونه جهاز تضخيم ممتاز صغير الحجم يمكن أن يعوّل عليه بالإضافة إلى القدرة الصغيرة التي يتطلبها.
والترانزيستور كجهاز تضخيم يحول الإشارة الضعيفة التابعة للزمن إلى إشارة قوية. وهناك وظائف مهمة أخرى يستطيع الترانزيستور أن يقوم بها في الدارات الإلكترونية لكن مقدرته على التضخيم تعد الوظيفة الرئيسية بالنسبة لاستخداماته الأخرى.

يوجد هناك نوعين للترانزيستورات :
الأول : ترانزيستور bipolar ثنائي القطبية (PNP)
الثاني : ترانزيستور unipolar وحيد القطبية (NPN)
حيث اعتمد في هذا التصنيف على آلية مرور التيار , ففي الترانزيستور ثنائي القطبية يعتمد مرور التيار على نوعي حاملات الشحنة (إلكترونات وثقوب) أما الترانزيستور وحيد القطبية فإن مرور التيار يعتمد على نوع واحد من حاملات الشحنة (إلكترونات أو ثقوب).
وبكلام آخر فإن النوع الأول (ثنائي القطبية) يعمل بفعل حاملات الشحنة من النوعين الأكثرية والأقلية معاً أما النوع الثاني فإنه يعمل بفعل حاملات الشحنة الأكثرية فقط.
يمكن أن تصنف الترانزيستورات أيضاً من حيث آلية العمل فالصنف الأول (والذي يوافق الترانزيستورات ثنائية القطبية) تسمى بالترانزيستورات الوصلية حيث يتم التحكم في التيارات الداخلية بواسطة متصلين ثنائيين pn أما النوع الآخر فتسمى بالترانزستورات الحقلية حيث يستند في أساس عمله على أثر الحقل.

* للترانزيستورات بشكل عام ثلاث أطراف تأخذ التاليه :

أولا : الترانزيستورات ثنائية القطبية :
1- الباعث (emitter) : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب عالية وذات حجم متوسط صممت لتبعث الكترونات .
2- القاعدة (base) : بللورة شبه موصل من النوع الموجب بها نسبة شوائب قليلة وذات حجم صغير تتوسط الباعث والمجمع صممت لتمرير الالكترونات .
3- المُجمّع (collector) : بللورة شبه موصل من النوع السالب بها نسبة شوائب أقل من الباعث وذات حجم كبير صممت لتجميع الالكترونات .
ثانيا : الترانزيستورات أحادية القطبية:
1- المنبع (source)
2- المصرف (drain)
3- البوابة (gate)
على الرغم من المردود الكبير للترانزيستور وماله من محاسن وميزات إيجابية (مقارنة مع الصمامات) إلا أن هناك سلبية أساسية وهي كونه حساس جداً لارتفاع درجة الحرارة ذلك أن مكوناته قابلة للعطب في حال ارتفاع درجة الحرارة إلى حدود معينة فعلى سبيل المثال درجة الحرارة الأعظمية المسموح بها لترانزيستور جرمانيوم تقع بين (60-100) درجة مئوية ولترانزيستور سليكون بين(125-200) مئوية , وهذا أحد أسباب تفضيل استخدام السيليكون في تصنيع الترانزيستور.
وللتغلب على هذا العائق تم إضافة المبردات للترانزيستور (وهي عبارة عن قطع معدنية ذات مواصفات معينة توصل مع الجسم الخارجي للترانزيستور) تعمل هذه المبردات على امتصاص الحرارة الزائدة الناتجة عن عمل الترانزيستور والتي يمكن أن تخرب البنية الداخلية (أنصاف النواقل) للترانزيستور.
الموسفيت

دعت الحاجة إلى وجود ترانزيستور يستطيع تحمل شدة التيار العالية إلى اختراع الموسفيت – ترانزيستور عالى المجال وهو ترانزيستور عادى غير أنهم وضعوا بين المادة الموجبة ( P ) والمادة السالبة ( n ) مادة عازلة مثل التى تستخدم فى المكثفات . أى أننا من الممكن أن نعتبره مكثف موصل بين ال P و N وله أيضا ثلاثة أطراف على الترتيب من اليسار وهم :
1- بوابة Gate
2- مصرف Drain
3- منبع Source
وتدخل الترنزيستورات في اغلب الدوائر ووظائف عملها كثيره جدا منها
تكبير الاشارات-توليد الذبذبات-الكشف -المزج- الموائمه-الخ
واشكاله عديده واليكم بعض صور الترانيستور

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذا الرابط]

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

[ندعوك للتسجيل في المنتدى أو التعريف بنفسك لمعاينة هذه الصورة]

السلام عليكم
شكراالك ياسامح على المعلومات القيمة ....يسلمو ايديك
الله يعطيك العافية على جهودك